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選購家電用品,撇步可是相當多!

如果是選擇大型家電,一定先要先把家裡空間的尺寸先丈量好

小家電就一定要選擇平常就會用到的功能,不要買了在那邊積灰塵

像我就會拿著相關尺寸與所需功能到相關的家電賣場先去看實機,摸一摸,問一下賣場人員,然後將型號拍照下來

然後再到momo來做選購,為什麼要這樣呢?

根據經濟部標準檢驗局提醒,選家電有幾點要注意:

1.選購時檢視負責廠商名稱及地址、電器規格(如:電壓、消耗功率或電流)及型號等各項標示是否清楚;尤其是注意是否貼有『商品安全標章』。

2.檢視是否附有使用說明書,使用前詳細閱讀產品使用說明書,並確實依使用說明書內容使用電器,尤應注意產品使用說明書所列之警告、注意事項。

3.定期依使用說明書之清潔保養方法清洗,以免影響電器功能,清潔保養時,切記應確實依照使用說明及注意事項,先將電源插頭拔離插座,並防止水滲入電器內部,以避免危險。

4.電源線及插頭破損或鬆弛時,切勿使用,以免發生危險。

5.若有故障現象發生,應送至廠商指定之維修站維修,切勿自行更換零件或拆解修理。

其實我在很多的購物網站比較起來,momo買東西是目前最省的一個平台了!

更新商品及相關促銷的活動也是非常多~

不只家電用品,也可以在上面選購其他運動用品,3C用品都可以拿到很便宜的價格

尤其常常有促銷,如果你看中的型號家電有在上面就真的賺到了

加贈吸塵器【HITACHI】33L過熱水蒸氣烘烤微波爐MRO-RBK5500T+SDL山多力吸塵器是我這陣子選購的家電,用起來的評價真的不錯

實用性、外觀、價格也平價

在許多網站都有相關的介紹,可見評價真的很高!

而且實際來計算一下耗電率,也很省電,尤其遇到夏季電價時

省錢才是王道啊!

而且我也很常逛PTT,這款加贈吸塵器【HITACHI】33L過熱水蒸氣烘烤微波爐MRO-RBK5500T+SDL山多力吸塵器也真的受到不少人的推薦(我看得出什麼是業配文,不要說我笨)

所以我個人對加贈吸塵器【HITACHI】33L過熱水蒸氣烘烤微波爐MRO-RBK5500T+SDL山多力吸塵器的評比如下

實用性:★★★★★

價格:★★★★☆

推薦度:★★★★☆

完整產品說明

 












※充電完成後,若使用標準吸力,約可使用25分鐘;若使用強吸力,約可使用15分鐘。(使用時間會隨電池壽命而有所減少)

品牌名稱

  •  

使用方式

  • 高溫
  • 燒烤
  • 蒸煮
  • 微波

類型

  • 按鍵式

容量

  • 31-40L

功能

  • 燒烤
  • 紅外線感測
  • 重量感應
  • 內建食譜
  • 脫臭
  • 爐內清潔
  • 解凍

效能

  • 1001W~1200W

商品規格


  • 尺寸:長X寬X高(mm) 240×1030×140
    重量:1.25KG
    功率:100W
    輸入:AC100~240V / 50~60Hz
    輸出:DC15V 750mA
    電池:鋰電池 10.8V / 2200mAh

 

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熱點新知搶先報

 

沙子是地殼較為豐富的物質,沙子中所含元素——矽,是地殼第二大組成元素,約占地殼總質量的25%,矽也是半導體製造業的基礎。 重點看沙子,沙子是地球上非常豐富的物質 即便我們身邊有如此之多的矽,但我國在半導體行業的生產能力遠遠不及西方已開發國家,每年進口的晶片已達數萬億,高居進口產品榜首。 下面我們簡單說說沙子是怎麼一步步變成晶片的。 首先,得用碳將矽從沙子(大量含有二氧化矽)中提取出來,以氧化還原的方式,將二氧化矽轉換成純度 98% 以上的矽。 但純度 98% 的矽還不能用於晶片製造,還需採取一些方法將矽進一步純化。純化之後,矽的純度已達標,但是其內部原子排列混亂,無法做為晶片矽基。需要通過一些方法將矽做成單晶矽,實際上就是把非晶體矽或多晶矽轉成為單個晶體的矽棒。 高純度矽要製成單晶矽才能用做矽基材料 有一種叫做拉晶法的工藝,用來將非晶矽或多晶矽製成單晶矽。這種方法是將高純度矽熔化為液體,然後用單晶矽種子和液體表面接觸,一邊旋轉一邊緩慢的向上拉起,得到的矽棒就是單晶矽。矽棒圓柱直徑,就是所有晶圓廠生產的晶圓尺寸,比如8英寸晶圓、12英寸晶圓,直徑越大,生產難度越高。 拉晶法矽棒製法示意 矽棒經過切割成矽片,拋光成鏡面一般光潔的圓盤,就成了晶圓。這也是晶圓廠的產品——晶圓。英特爾最初製造晶片時晶圓直徑僅2英寸(大概50mm)大小,現在晶圓已經達到12英寸,是當初的6倍大了。 矽棒切割為晶圓 在晶片工廠,晶圓被塗上一層非常薄的藍色光刻膠塗層,這種塗層類似以前的底片,是一種光敏材料。塗過光刻膠的晶圓按設計樣式在紫外光(UV)下曝光,光刻膠曝光後,變成可溶的物質。除去變成可溶的光刻膠,就得到一塊像未蝕刻的PCB裸板,未被光照的光刻膠形成了一層掩膜,蝕刻液將沒有掩膜的部分蝕刻掉一些,就成為了一塊布滿電晶體雛形的裸板。 光刻蝕刻過程示意 在蝕刻好的矽基上注入離子,離子注入在製程工藝中是「摻雜」的一種形式,是通過各種化學雜質離子轟擊矽晶圓表面的曝光區域,改變對應區域內矽導電的方式。經過電場加速的高速離子束速度可超過30萬千米每小時。離子注入完成後,光刻膠也將被清除,而被摻雜的材料(綠色部分)也被注入了外來原子。 離子注入過程 至此,電晶體基本完成。在此基礎上,晶圓表面再塗上一層絕緣層(下圖洋紅色物質),並按設計蝕刻一些小孔。然後,晶圓會被放入硫酸銅溶液中,在表面電鍍一層銅。 電鍍過程示意 經過一層層的塗絕緣層、蝕刻、電鍍、拋光,就得到了複雜的立體電路,而晶圓也被加工成了密布晶片單元的晶片板。 電路製作過程 一塊密布晶片的晶圓 最後經過測試、切割、封裝,一堆沙子就被製成了一塊塊價值高昂的晶片。 切割、測試、封裝過程 本文圖片和動畫均由「老郭的封面」加工自網絡。

 

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文章來源取自於:

 

 

壹讀 https://read01.com/2KM52EP.html

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